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DN2450N8-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN2450N8-G
No. Parte Newark67X5065
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id230
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)7ohm
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Diseño de Transistor
SOT-89
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
230
Resistencia de Activación Rds(on)
7ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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