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DN2535N5-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 350 V, 500 mA, 17 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 100+ | $1.380 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN2535N5-G
No. Parte Newark67X5072
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds350
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia de Activación Rds(on)17ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente17
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd15W
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia15
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
350
Resistencia de Activación Rds(on)
17ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
15W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
17
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
15
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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