DN3135K1-G

El DN3135K1-G es un FET DMOS vertical en modo de agotamiento de canal N que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y el proceso de fabricación de compuerta de silicio bien probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente en los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras de MOS, este dispositivo está libre de desbordamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Es ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea un alto voltaje de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

• Baja resistencia de ENCENDIDO
• Libre de desglose secundario
• Fuga baja de entrada y salida