DN3535N8-G

El DN3535N8-G es un FET DMOS vertical en modo de agotamiento de canal N que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y el proceso de fabricación de compuerta de silicio bien probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia del transistor bipolar y con una alta impedancia de entrada y un coeficiente de temperatura positivo inherente al dispositivo MOS. Característico de todas las estructuras de MOS, este dispositivo está libre de desbordamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. El umbral bajo, normalmente activado, el FET DMOS es ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea un alto voltaje de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

• Baja resistencia de ENCENDIDO
• Libre de desglose secundario
• Fugas de entrada y salida bajas