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VN0106N3-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.872 |
| 10+ | $0.807 |
| 25+ | $0.743 |
| 50+ | $0.700 |
| 100+ | $0.657 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVN0106N3-G
No. Parte Newark55AC4280
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.5
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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