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VP0109N3-G
MOSFET de Potencia, Modo-Mejorado, Canal P, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVP0109N3-G
No. Parte Newark44AC3397
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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