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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, FBGA
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:C
No. Parte Newark67AK2486
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:C
No. Parte Newark67AK2486
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria32
Densidad de DRAM32Gbit
Configuración de Memoria1G x 32bit
Configuración Memoria DRAM1G x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, TipoFBGA
No. de Pines-
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso468ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E1G32D2FW-046 AAT:C es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 32 Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X). Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad.
- Rango de frecuencia de 10MHz a 2133MHz (rango de velocidad de datos por pin: 20Mb/s-4266Mb/s)
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), intensidad de transmisión de salida seleccionable (DS)
- Longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16, 32), hasta 8.5GB/s por canal x16
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Capacidad de parada de reloj, terminación VSS (ODT) programable, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
- Densidad total de 4 GB (32Gb), velocidad de datos de 4266Mb/s por pin, certificación automotriz AEC-Q100
- Paquete TFBGA de 200 bolas, temperatura de funcionamiento de -40 °C a +105 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
FBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
32
Configuración de Memoria
1G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
-
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto