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MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G64D4HJ-046 WT:C
No. Parte Newark25AK7964
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G64D4HJ-046 WT:C
No. Parte Newark25AK7964
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria64Gbit
Densidad de DRAM64Gbit
Configuración Memoria DRAM1G x 64bit
Configuración de Memoria1G x 64bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1V
Tiempo de Acceso468ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16 Gb con bajo VDDQ. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Esta memoria está configurada internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos. Tiene terminación VSS programable (ODT) y soporte CK y DQS de un solo extremo. Esta memoria tiene una actualización dirigida por banco para la operación simultánea de bancos y facilidad de programación de comandos.
- El voltaje de funcionamiento es 1.10V (VDD2), 0.60V o 1.10V (VDDQ)
- Configuración de 1 Gig x 64, LPDDR4, direccionamiento 4die
- El estilo de empaque es TFBGA de 556 bolas
- El tiempo de ciclo es 468ps en RL = 36/40
- El rango de temperatura de funcionamiento es de –25 °C a +85 °C, diseño C
- La velocidad del reloj es de 2133MHz, la velocidad de datos por pin es de 4266Mb/s
- Fuentes de alimentación de E/S y núcleo de voltaje ultrabajo
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), intensidad de transmisión de salida seleccionable (DS)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración de Memoria
1G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
64Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
556Pines
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto