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MT53E2G32D4DE-046 AUT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 AUT:C
No. Parte Newark25AK7967
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $108.460 |
| 5+ | $105.560 |
| 10+ | $102.520 |
| 25+ | $101.000 |
| 50+ | $99.520 |
| 100+ | $93.550 |
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 AUT:C
No. Parte Newark25AK7967
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM64Gbit
Densidad de Memoria64Gbit
Configuración de Memoria2G x 32bit
Configuración Memoria DRAM2G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1V
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El MT53E2G32D4DE-046 AUT:C es una SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 2 canales o 1 canal x 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos.
- Configuración de 2 Gig x 32, pin de velocidad de datos de 4266 Mb/s
- LPDDR4, conteo de 4 dados
- Rango de voltaje de funcionamiento de 1.10V VDD2/0.60V o 1.10V VDDQ
- Arquitectura DDR de captación previa 16n
- 8 bancos internos por canal para operación concurrente
- Entrada CMD/ADR de tasa de datos única
- Luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables, longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16, 32)
- Calificado automotriz AEC-Q100
- Rango de temperatura de operación de -40°C a +125°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
64Gbit
Configuración Memoria DRAM
2G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1V
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración de Memoria
2G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto