Imprimir página
MT53E2G32D4DT-046 WT:A
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DT-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8347
Hoja de datos técnicos
241 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $37.250 |
| 5+ | $37.250 |
| 10+ | $37.250 |
| 25+ | $37.250 |
| 50+ | $37.250 |
| 100+ | $37.250 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$37.25
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DT-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8347
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria64
Densidad de DRAM64Gbit
Configuración Memoria DRAM2G x 32bit
Configuración de Memoria2G x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CIVFBGA
Memoria, TipoVFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso468ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E2G32D4DT-046 WT:A is a 64Gbit LPDDR4 DRAM memory. The low-power dynamic random access memory (LPDRAM) is DRAM optimized specifically to address power consumption issues in battery operated applications. Originally developed for handsets and ultra-portables. LPDDR4 is a balance of performance, power, latency and physical space making it energy-efficient without compromising performance.
- 2.133GHz clock frequency
- Operating temperature range from -30°C to 85°C
- Performance: peak bandwidth 33% faster compared to DDR4
- Power consumption: 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM
- Package designs save PCB space
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración de Memoria
2G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
64
Configuración Memoria DRAM
2G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
VFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto