Imprimir página
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 32 Gbit, 512M x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M64D2HJ-046 AUT:B
No. Parte Newark81AJ0003
Hoja de datos técnicos
480 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $29.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$29.77
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M64D2HJ-046 AUT:B
No. Parte Newark81AJ0003
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM32Gbit
Densidad de Memoria32
Configuración de Memoria512M x 64bit
Configuración Memoria DRAM512M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B es una SDRAM DDR4 móvil de baja potencia de 16 Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 2 canales o 1 canal x 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos.
- Configuración de 512 Megas x 64
- LPDDR4, conteo de 2 dados
- Rango de voltaje de funcionamiento de 1.10V VDD2/0.60V o 1.10V VDDQ
- Arquitectura DDR de captación previa 16n
- 8 bancos internos por canal para operación concurrente
- Entrada CMD/ADR de tasa de datos única
- Luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables, longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16, 32)
- Calificado automotriz AEC-Q100
- Rango de temperatura de operación de -40°C a +125°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
32
Configuración Memoria DRAM
512M x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración de Memoria
512M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
556Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto