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CM150DY-24A
Módulo IGBT, Doble [medio puente], 150 A, 3 V, 960 W, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM150DY-24A
No. Parte Newark19K9209
Rango de ProductoSerie A
Hoja de datos técnicos
No está disponible
Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM150DY-24A
No. Parte Newark19K9209
Rango de ProductoSerie A
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Corriente del Colector Continua150A
Corriente de Colector DC150A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor3V
Disipación de Potencia960W
Disipación de Potencia Pd960W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPestaña
No. de Pines7Pines
Tecnología IGBTIGBT 5 [Puerta de trinchera]
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoSerie A
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El CM150DY-24A es un módulo doble de 1200V IGBTMOD™ serie A diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Cada módulo consta de dos transistores IGBT en una configuración de medio puente y cada transistor tiene un diodo de rueda libre de recuperación súper rápida conectado al revés. Todos los componentes e interconexiones están aislados de la placa base del disipador de calor, lo que ofrece un montaje simplificado del sistema y gestión térmica.
- Poca energía de conducción
- Bajo VCE (sat)
- Diodo de rueda libre súper rápido discreto
- Placa base aislada para facilitar la disipación de calor
- Voltaje de Compuerta-emisor de ±20V (corto C-E)
- Corriente pico de Colector de 300A
- Corriente de emisor de 150A
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
150A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
960W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Pestaña
Tecnología IGBT
IGBT 5 [Puerta de trinchera]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
150A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3V
Disipación de Potencia Pd
960W
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
Serie A
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto