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CM75BU-12H
Módulo IGBT, Puente H, 75 A, 3 V, 310 W, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM75BU-12H
No. Parte Newark09B2243
Rango de ProductoSerie U-
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semana(s)
Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM75BU-12H
No. Parte Newark09B2243
Rango de ProductoSerie U-
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTPuente H
Corriente de Colector Continua75A
Corriente de Colector DC75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor3V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Disipación de Potencia Pd310W
Disipación de Potencia310W
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Diseño de TransistorModule
Núm. de Contactos12Pines
Terminación del IGBTPestaña
Tecnología IGBT-
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoSerie U-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector Continua
75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3V
Disipación de Potencia Pd
310W
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Núm. de Contactos
12Pines
Tecnología IGBT
-
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
Puente H
Corriente de Colector DC
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
310W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Pestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Rango de Producto
Serie U-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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