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BSS84-7-F
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte FabricanteBSS84-7-F
No. Parte Newark66W0896
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza BSS84-7-F
3 productos encontrados
Resumen del producto
El BSS84-7-F es un transistor D-MOS vertical de modo de mejora de canal P de -50V ideal para interruptores de corriente de línea en aparatos telefónicos. Cuenta con un interruptor de señal pequeña de canal P controlado por voltaje y se puede usar con controladores de transformador de relé, de alta velocidad y de línea.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Corriente de saturación alta
- Voltaje de compuerta a fuentede ±20V (VGSO)
- Resistencia térmica 350°C/W, unión a ambiente
- Los productos Multicomp Pro tienen una calificación de 4.6 de 5 estrellas
- 12 Meses Garantía Limitada *Vea los Términos y Condiciones para más Detalles
- El 96% de los clientes lo recomendarían a un amigo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto