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2N7002,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002,215
No. Parte Newark95W1677
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia de Activación Rds(on)2.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.8
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd830mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia830
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
2.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
830mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.8
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
830
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza 2N7002,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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