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2N7002KQBZ
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 720 mA, 0.85 ohm, DFN1110D, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002KQBZ
No. Parte Newark85AJ7193
Rango de ProductoTrench Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002KQBZ
No. Parte Newark85AJ7193
Rango de ProductoTrench Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id720
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN1110D
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia960
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrench Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85ohm
Diseño de Transistor
DFN1110D
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Trench Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
720
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
Disipación de Potencia
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2N7002KQBZ
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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