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2N7002PW,115.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PW,115.
No. Parte Newark28AC7865
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id310
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd260mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia260
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
3Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
310
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
260mW
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
260
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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