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BSH105,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.348 |
| 10+ | $0.243 |
| 25+ | $0.217 |
| 50+ | $0.193 |
| 100+ | $0.167 |
| 250+ | $0.162 |
| 500+ | $0.155 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSH105,215
No. Parte Newark34R3007
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.05A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd417mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente570mV
Disipación de Potencia417mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
570mV
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.05A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
417mW
Disipación de Potencia
417mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSH105,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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