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BSP52,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSP52,115
No. Parte Newark34R3032
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd1.25W
Corriente de Colector DC1A
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE2000hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
1A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
2000hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSP52,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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