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BUK6D22-30EX
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 7.2 A, 0.022 ohm, DFN2020MD, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.160 |
| 10+ | $0.811 |
| 25+ | $0.723 |
| 50+ | $0.633 |
| 100+ | $0.545 |
| 250+ | $0.487 |
| 500+ | $0.427 |
| 1000+ | $0.379 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK6D22-30EX
No. Parte Newark07AH3638
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Diseño de TransistorDFN2020MD
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BUK6D22-30EX es un MOSFET de trinchera de canal N de 30V. Se utiliza en aplicaciones como controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Flancos laterales humectables para inspección óptica de soldadura
- Protección contra descarga electroestática (ESD) <gt/> 2kV HBM (clase H2)
- Tecnología MOSFET de trinchera, homologada AEC-Q101
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 30V min a (ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25 °C)
- La corriente de fuga de drenaje es de µA máx. a (VDS = 30 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C)
- La resistencia de la puerta es típica de 2 ohms a (f = 1 MHz)
- La capacitancia de entrada es de 440pF típico a (VDS = 15V; f = 1MHz; VGS = 0V; Tj = 25 °C)
- El tiempo de subida es de 18ns tipo en (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6 ohms; Tj = 25 °C)
- El tiempo de caída es de 7ns típico en (VDS = 15V; ID = 7.2A; VGS = 10V; RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C)
- Rango de temperatura ambiente de -55 °C a 175 °C, paquete SOT1220
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.2
Diseño de Transistor
DFN2020MD
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto