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BUK9M11-40HX
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 35 A, 0.009 ohm, LFPAK, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9M11-40HX
No. Parte Newark99AC8924
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.85
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.85
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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