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BUK9Y14-80E,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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| 500+ | $0.614 |
| 1000+ | $0.488 |
| 3000+ | $0.466 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9Y14-80E,115
No. Parte Newark90W4306
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0113
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia147
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0113
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
147
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BUK9Y14-80E,115
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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