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GANE3R9-150QBAZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.840 |
| 10+ | $7.630 |
| 25+ | $6.950 |
| 50+ | $6.680 |
| 100+ | $6.420 |
| 250+ | $6.070 |
| 500+ | $5.830 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGANE3R9-150QBAZ
No. Parte Newark03AM5300
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039
Carga de Compuerta Típica20
Diseño de TransistorVQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines25Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039
Diseño de Transistor
VQFN
No. de Pines
25Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
100
Carga de Compuerta Típica
20
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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