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MMBT3906,215
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteMMBT3906,215
No. Parte Newark34R4176
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40V
Corriente de Colector DC200mA
Corriente de Colector Continua200mA
Disipación de Potencia250mW
Disipación de Potencia Pd250mW
Diseño de TransistorTO-236AB
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición250MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40V
Corriente de Colector Continua
200mA
Disipación de Potencia Pd
250mW
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente de Colector DC
200mA
Disipación de Potencia
250mW
Diseño de Transistor
TO-236AB
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
250MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBT3906,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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