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NX3008PBKS,115.
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 200 mA
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008PBKS,115.
No. Parte Newark26AC2784
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P200
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
200
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto