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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX7002AK,215
No. Parte Newark43W6129
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id190
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd265mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia265
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX7002AK es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 1.5kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
190
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
265
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.5ohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Disipación de Potencia Pd
265mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NX7002AK,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto