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PBHV2160ZX.
Transistor JFET, SOT-223, 4 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBHV2160ZX.
No. Parte Newark26AC2892
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Diseño de TransistorSOT-223
Tipo de TransistorBISS
Temperatura de Trabajo Máx.150
Núm. de Pines4 Pines
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Tipo de Transistor
BISS
Núm. de Pines
4 Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
SOT-223
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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