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PBSS5160TVL
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBSS5160TVL
No. Parte Newark74AH1027
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente del Colector Continua900mA
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia270mW
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-236AB
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición220MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
900mA
Disipación de Potencia
270mW
Diseño de Transistor
TO-236AB
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
220MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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