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PMDPB55XP,115
MOSFET Transistor, Dual P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -650 mV RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDPB55XP,115
No. Parte Newark43W6154
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorSOT-1118
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N490mW
Disipación de Potencia de Canal P490mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.055ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
490mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055ohm
Diseño de Transistor
SOT-1118
Disipación de Potencia de Canal N
490mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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