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PMF170XP,115
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMF170XP,115
No. Parte Newark75T8013
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia de Activación Rds(on)0.175ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd290mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia290mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PMF170XP es un transistor de efecto de campo en modo de mejora de canal P con baja resistencia en estado activado de fuente de drenaje y conmutación rápida.
- Tecnología Trench MOSFET
- Conmutación muy rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
290mW
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.175ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto