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PMGD175XNEX
MOSFET, N-CH, 30V, 0.87A, TSSOP ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.205 |
| 6000+ | $0.196 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$615.00
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMGD175XNEX
No. Parte Newark86AK5946
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.211ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.211ohm
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N390mW
Disipación de Potencia de Canal P390mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
870mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.211ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
390mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.211ohm
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
390mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza PMGD175XNEX
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto