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PMXB360ENEAZ
MOSFET, N-CH, 80V, 1.1A, DFN1010D ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.124 |
| 10000+ | $0.118 |
| 20000+ | $0.116 |
| 30000+ | $0.115 |
| 50000+ | $0.113 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 5000
Múltiple: 5000
$620.00
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMXB360ENEAZ
No. Parte Newark86AK5991
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.345ohm
Diseño de TransistorDFN1010D
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia400mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Diseño de Transistor
DFN1010D
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.345ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMXB360ENEAZ
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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