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PMZB320UPEYL
MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.351 |
| 10+ | $0.248 |
| 25+ | $0.214 |
| 50+ | $0.178 |
| 100+ | $0.144 |
| 250+ | $0.140 |
| 500+ | $0.136 |
| 1000+ | $0.112 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMZB320UPEYL
No. Parte Newark68Y7857
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-883B
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43ohm
Diseño de Transistor
SOT-883B
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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