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PSMN013-100YSEX
MOSFET, N-CH, 100V, 58A, 238W, POWERSO
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.000 |
| 10+ | $2.110 |
| 100+ | $1.660 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.260 |
| 3000+ | $1.090 |
| 6000+ | $1.070 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.00
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100YSEX
No. Parte Newark55W5042
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd238W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia238
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PSMN013-100YSE is a N-channel standard level MOSFET offers enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation. The part of NXP's NextPower Live portfolio, PSMN013-100YSE complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Very low RDS (ON) for low conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Diseño de Transistor
SOT-669
Disipación de Potencia Pd
238W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
238
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto