Imprimir página
PSMN017-60YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,370 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.967 |
| 10+ | $0.758 |
| 100+ | $0.425 |
| 500+ | $0.406 |
| 1000+ | $0.340 |
| 3000+ | $0.327 |
| 10500+ | $0.298 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.97
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN017-60YS,115
No. Parte Newark13T9525
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia de Activación Rds(on)0.0123ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0157ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia74
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El PSMN017-60YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
44
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0157ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
74W
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0123ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto