Imprimir página
PSMN017-60YS,115
MOSFET,N CHANNEL,60V,44A,LFPAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
518 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.650 |
| 10+ | $1.290 |
| 100+ | $0.710 |
| 500+ | $0.702 |
| 1000+ | $0.683 |
| 3000+ | $0.645 |
| 10500+ | $0.632 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.65
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN017-60YS,115
No. Parte Newark13T9525
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0157ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0123ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia74
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN017-60YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
44
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0123ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
74W
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0157ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto