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PSMN1R2-25YLC,115
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, LFPAK
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R2-25YLC,115
No. Parte Newark55T6970
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $0.924 |
| 25+ | $0.887 |
| 50+ | $0.850 |
| 100+ | $0.812 |
| 250+ | $0.786 |
| 500+ | $0.759 |
| 1000+ | $0.729 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R2-25YLC,115
No. Parte Newark55T6970
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.00105ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1050µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd179W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.45V
Disipación de Potencia179W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN1R2-25YLC es un MOSFET de nivel lógico de modo de mejora de canal N optimizado para un controlador de compuerta de 4.5V que utiliza la tecnología NextPower Superjunction. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, junta tórica de alimentación, fuentes de alimentación del servidor, rectificador de sincronización y aplicaciones de equipos domésticos.
- Ultra bajo QG, QGD y QOSS para altas eficiencias del sistema en cargas bajas y altas
- RDS ultra bajo (ON) y baja inductancia parasitaria
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1050µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
179W
Disipación de Potencia
179W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00105ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.45V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN1R2-25YLC,115
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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