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PSMN1R5-25MLHX
MOSFET, N-CH, 25V, 150A, 175DEG C, 106W ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $1.070 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $0.981 |
| 100+ | $0.941 |
| 250+ | $0.896 |
| 500+ | $0.851 |
| 1000+ | $0.790 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R5-25MLHX
No. Parte Newark41AH9910
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1460µohm
Diseño de TransistorLFPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.73V
Disipación de Potencia106W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.73V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1460µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
106W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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