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PSMN2R8-80BS,118
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R8-80BS,118
No. Parte Newark74AH1197
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.120 |
| 10+ | $2.720 |
| 25+ | $2.530 |
| 50+ | $2.350 |
| 100+ | $2.150 |
| 250+ | $2.100 |
| 500+ | $2.040 |
| 1600+ | $1.580 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.12
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R8-80BS,118
No. Parte Newark74AH1197
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00255ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia306W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
306W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00255ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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