Imprimir página
PSMN3R3-80BS,118
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.590 |
| 10+ | $2.240 |
| 25+ | $2.070 |
| 50+ | $1.920 |
| 100+ | $1.750 |
| 250+ | $1.650 |
| 500+ | $1.610 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.59
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R3-80BS,118
No. Parte Newark05W5725
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0.003ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd306W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia306W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El PSMN3R3-80BS es un MOSFET de canal N adecuado para fuentes de control de compuerta de nivel estándar. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor, convertidores de CD a CD y aplicaciones de equipos domésticos.
- Alta eficiencia debido a bajas pérdidas de conmutación y conducción.
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
306W
Disipación de Potencia
306W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.003ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN3R3-80BS,118
4 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto