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PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET Transistor, N Channel, 71 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.48 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN6R0-30YLB,115
No. Parte Newark75T8040
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 10+ | $1.030 |
| 100+ | $0.702 |
| 500+ | $0.563 |
| 1000+ | $0.546 |
| 3000+ | $0.492 |
| 10500+ | $0.410 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN6R0-30YLB,115
No. Parte Newark75T8040
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id71A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSC-100
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.48V
Disipación de Potencia58W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5500µohm
Diseño de Transistor
SC-100
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.48V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
71A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
58W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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