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PSMN6R8-40HSX
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, LFPAK56D ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.230 |
| 100+ | $2.030 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN6R8-40HSX
No. Parte Newark61AK9910
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P40A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0068ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorLFPAK56D
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N64W
Disipación de Potencia de Canal P64W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
40A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
64W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
40A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0068ohm
Diseño de Transistor
LFPAK56D
Disipación de Potencia de Canal N
64W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto