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PSMN8R3-40YS,115
MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 40 V, 6.6 mohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.890 |
| 25+ | $0.795 |
| 50+ | $0.700 |
| 100+ | $0.605 |
| 250+ | $0.588 |
| 500+ | $0.572 |
| 1000+ | $0.533 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN8R3-40YS,115
No. Parte Newark62R9345
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6600µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia74W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
74W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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