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PXP400-100QSJ
MOSFET, P CH, 100V, 1.4A, MLPAK33 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.921 |
| 10+ | $0.667 |
| 25+ | $0.606 |
| 50+ | $0.544 |
| 100+ | $0.483 |
| 250+ | $0.448 |
| 500+ | $0.413 |
| 1000+ | $0.368 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXP400-100QSJ
No. Parte Newark76AH5993
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.275ohm
Diseño de TransistorMLPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia1.7W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
MLPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.7W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.275ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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