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AFT20S015GNR1
RF FET, 65V, 1.805-2.7GHZ, TO-270G
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFT20S015GNR1
No. Parte Newark60AC7749
Rango de ProductoAFT20S015GN
Hoja de datos técnicos
201 En Stock
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFT20S015GNR1
No. Parte Newark60AC7749
Rango de ProductoAFT20S015GN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia11W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.805GHz
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.2.7GHz
Diseño de TransistorTO-270G
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de ProductoAFT20S015GN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65V
Disipación de Potencia
11W
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-270G
No. de Pines
2Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
AFT20S015GN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.805GHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
2.7GHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto