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AFV10700HR5
TRANSISTOR, RF, N-CH, 105VDC, NI-780H-4L
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2,136.700 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteAFV10700HR5
No. Parte Newark43AC2131
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds105VDC
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia526W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.03GHz
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1.09GHz
Diseño de TransistorNI-780H
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
105VDC
Disipación de Potencia
526W
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
NI-780H
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.03GHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1.09GHz
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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