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BFQ67,215
Transistor RF - Bipolar, Banda Ancha, NPN, 10 V, 8 GHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFQ67,215
No. Parte Newark75R4641
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo10V
Voltaje Máx. Colector a Emisor10
Frecuencia de Transición8
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300mW
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC50mA
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Diseño de TransistorSOT-23
Encapsulado de Transistor RFSOT-23
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
10
Disipación de Potencia
300
Corriente del Colector Continua
50
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Encapsulado de Transistor RF
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
10V
Frecuencia de Transición
8
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
50mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto