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BFU590GX
Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 80 mA, SOT-223
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFU590GX
No. Parte Newark31AC6246
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor12V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo12V
Frecuencia de Transición8.5GHz
Disipación de Potencia Pd2W
Disipación de Potencia2W
Corriente del Colector Continua200mA
Corriente de Colector DC80mA
Ganancia de Corriente DC hFE60hFE
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
BFU590GX is a NPN wideband silicon RF transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Typical applications include automotive applications, broadband amplifiers, medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz) and large signal amplifiers for ISM applications.
- 24V collector-base voltage, 12V collector-emitter voltage, 2V emitter-base voltage
- Medium power, high linearity, high breakdown voltage RF transistor
- 95 typical DC gain
- Maximum stable gain is 13dB at 900MHz
- AEC-Q101 qualified
- Output power at 1dB gain compression PL(1dB) is 21.5dBm at 900MHz
- 8.5GHz transition frequency
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
12V
Disipación de Potencia Pd
2W
Corriente del Colector Continua
200mA
Ganancia de Corriente DC hFE
60hFE
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12V
Frecuencia de Transición
8.5GHz
Disipación de Potencia
2W
Corriente de Colector DC
80mA
Diseño de Transistor
SOT-223
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto