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BFU730F,115
Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.566 |
| 10+ | $0.564 |
| 25+ | $0.532 |
| 50+ | $0.500 |
| 100+ | $0.467 |
| 250+ | $0.434 |
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFU730F,115
No. Parte Newark31AC6254
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo2.8V
Voltaje Máx. Colector a Emisor2.8V
Frecuencia de Transición55GHz
Disipación de Potencia Pd197mW
Disipación de Potencia197mW
Corriente de Colector DC5mA
Corriente del Colector Continua5mA
Ganancia de Corriente DC hFE205hFE
Diseño de TransistorSOT-343F
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-343F
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.205hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
2.8V
Disipación de Potencia Pd
197mW
Corriente de Colector DC
5mA
Ganancia de Corriente DC hFE
205hFE
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
205hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
2.8V
Frecuencia de Transición
55GHz
Disipación de Potencia
197mW
Corriente del Colector Continua
5mA
Diseño de Transistor
SOT-343F
Encapsulado de Transistor RF
SOT-343F
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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