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BLF573,112
Transistor FET RF, 50 V, 900 mA, 300 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-502A
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF573,112
No. Parte Newark81R1954
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Disipación de Potencia300W
Disipación de Potencia Pd300W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.500MHz
Diseño de TransistorSOT-502A
Núm. de Contactos2Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-502A
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Disipación de Potencia
300W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
10MHz
Diseño de Transistor
SOT-502A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-502A
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Disipación de Potencia Pd
300W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
500MHz
Núm. de Contactos
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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