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BLF578,112
Transistor FET RF, 50 V, 88 A, 1.2 kW, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLF578,112
No. Parte Newark70R2785
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id88A
Disipación de Potencia1.2kW
Disipación de Potencia Pd1.2kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.500MHz
Diseño de TransistorSOT-539A
Núm. de Contactos4Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-539A
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Disipación de Potencia
1.2kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
10MHz
Diseño de Transistor
SOT-539A
Encapsulado de Transistor RF
SOT-539A
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
88A
Disipación de Potencia Pd
1.2kW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
500MHz
Núm. de Contactos
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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